英特尔CPU功耗将大降9成

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英特尔开发全新复合硅晶体技术 处理器功耗可大降九成

　　英特尔最新的研究报告中透露，全新的物料P-Channel及N-Channel硅晶体组合，可以协助处理器减低所需功耗，未来的处理器的耗电量甚至可以是现下处理器的十分之一，性能肯定能够得到进一步提升，系统体积同样可进一步缩小。该电晶体是一种复合型半导体，也称为“III-V”材料，因为它就是采用在周期表中位于第四周期表的硅，据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻表现。而英特尔早前与透露的采用“III-V”物料的N-Channel 晶体管，同样将会使用在处理器工艺技术上。

　　据英特尔指出，当P-Channel Transistor及N-Channel Transistor复合应用后，所制造出的CMOS逻辑晶片比传统物料可减低一半的电压，而且功耗更可降低至只有目前功耗的十分之一。此研发创新技术将会首先用于处理器量产中，可令处理器效率进一步提高，容许更复杂的设计及减低了因功耗而出现的散热问题，系统体积也可以因此进一步缩小。当前，英特尔已经开始进行论证上述材料量产的可能性，有望可以在未来数年内实现创新

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2009-4-13 23:29