内存颗粒编号的识别之-富士通(FUJITSU)SDRAM内存
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第1字段由MB81组成，代表富士通的SDRAM产品。
第2字段代表内存的种类，F代表PC100；1代表普通内存。
第3字段代表容量。
第4字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表芯片的组成，22代表2BANK；42代表4BANK。
第6字段代表产品系列。
第7字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
内存颗粒编号的识别之-东芝(TOSHIBA)SDRAM内存
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第1字段由TC组成，代表东芝产品。
第2字段代表内存种类，59S代表SDRAM。
第3字段代表容量，64代表64MB；128代表128MB。
第4字段代表数据带宽，04代表4位；08代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表产品系列，比较常见的有A系列和B系列产品。
第6字段代表封装方式，FT代表TSOP。
第7字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第8字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
内存颗粒编号的识别之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
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第1字段由M2组成，代表三菱产品。
第2字段由代表I/O界面，一个字符组成，一般为V。
第3字段代表容量，如16代表16MB。
第4字段代表内存类型，S代表SDRAM。
第5字段代表数据带宽，2代表4位；3代表8位；4代表16位。
第6字段代表意义不详，一般为0。
第7字段代表产品系列。
第8字段代表封装类型，TP代表TSOP封装。
第9字段代表内存的速度，8A代表8ns；7代表10ns(CL=2或3)；8代表10ns(CL=3)；10代表10ns。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
内存颗粒编号的识别之-LGs SDRAM内存
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第1字段由GM组成，代表LGs公司的产品。
第2字段代表产品类型，72代表SDRAM。
第3字段代表电压，V代表3V。
第4字段代表内存单位容量和刷新单位，16代表16M(4K刷新)；17代表16M(2K刷新)；28代表128M(4K刷新)；64代表64M(16K刷新)；65代表64M(8K刷新)；66代表64M(4K刷新)。
第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片组成，1代表1BANK；2代表2BANK；4代表4BANK；8代表8BANK。
第7字段代表电气接口，1代表LVTTL。
第8字段代表芯片的修正版本，A代表第1版；B代表第2版，依此类推。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式，T代表TSOP；R代表TSOPⅡ；I代表BLP；S代表STACK。
第11字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；65代表6.5ns(153MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；7K代表10ns(PC100 @222)；7J代表10ns(PC100@322)；10K代表10ns(PC66)；10J代表10ns(PC66)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai)
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1.SDRAM内存(老版本)
第1字段由HY组成，代表现代产品。
第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。
第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
2.SDRAM内存(新版本)
第1字段由HY组成，代表现代产品。
第2字段代表产品类型，57代表SDRAM。
第3字段代表电压，V代表3.3V。
第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表意义不详，一般为0。
第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
内存颗粒编号的识别之-金邦(GeIL)SDRAM内存
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第1字段代表产品系列，GL2000代表千禧条，BLP代表金条。
第2字段由GP组成，代表金邦产品。
第3字段代表产品类型，6代表SDRAM。
第4字段代表制造工艺，C代表5V Vcc CMOS；LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS；V代表2.5V Vdd CMOS。
第5字段代表容量，它与第7字段相乘就是总容量。
第6字段代表容量单位，空白代表Bits；K代表KB，M代表MB，G代表GB。
第7字段代表颗粒数量。
第8字段代表芯片修正版本。
第9字段代表封装方式，DJ代表SOJ；DW代表宽型SOJ；F代表54针4行FBGA；FB代表60针8*16 FBGA；FC代表60针11*13 FBGA；FP代表反转芯片封装；FQ代表反转芯片密封；F1代表62针2行FBGA；F2代表84针2行FBGA；LF代表90针FBGA；LG代表TQFP；R1代表62针2行微型FBGA；R2代表84针2行微型FBGA；TG代表TSOP Ⅱ，U代表μ BGA。
第10字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)。
第11字段由AMIR组成，代表内部标识号。
第12字段由四位数字组成，代表生产日期，前两个数字表示年份，如00表示2000年；后两个数字表示周数，如25表示第25周。
内存颗粒编号的识别之-美光(Micron)
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第1字段由MT组成，代表美光产品。
第2字段代表内存类型，48代表SDRAM。
第3字段代表内存种类，LC代表普通SDRAM。
第4字段代表密度，此数与M后位数相乘即为容量。
第5字段代表意义不详，一般为M。
第6字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第7字段代表类型，AX代表write Recovery(TWR)；A2代表2clk(TWR)。
第8字段代表封装方式，TG代表TSOP II(RPPmil)。
第9字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8A代表8ns(125MHz，读取周期为333)；8B代表8ns(125MHz，读取周期为323)；8C代表8ns(125MHz，读取周期为322)；8 D代表8ns(125MHz，读取周期为222)；8E代表8ns(125MHz，读取周期为222)；10代表10ns(100MHz@CL=3)。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
举例说明G 颗粒机器原配条(标识PC 66 64M),超频后表现良好,解析如下:
第1字段 GM 代表LGs
第2字段 72 代表SDRAM。
第3字段 V 代表3V。
第4字段 66 代表64M(4K刷新)。
第5字段 8 代表8位；
第6字段 4 代表4BANK；
第7字段 1 代表LVTTL
第8字段 C 代表第3版
第9字段 空白 代表普通功耗
第10字段 T 代表TSOP；
第11字段 7J 代表10ns(PC100@322)；
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发表于 2006-6-16 12:55
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发表于 2006-6-16 12:00
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